367.助攻3D晶体管研究，再获一员大将（3合1）（4/8）

赵德彬虚心地请教：“不知道胡教授现在的研究课题是什么？”

“是这样的，目前，半导体行业内的共识是，半导体制程工艺做到25纳米时将出现瓶颈，如果制造技术没有突破，很难再继续向下集成。

这是因为，当晶体管达到一定数量后，会产生漏电问题，功耗会变得非常高。”

芯片之所以叫集成电路，是因为芯片运行靠的是无数个极其微小的开关电路不停地通电、断电，来进行二进制运算。

在芯片地方足够大的时候，这些小开关能施展得开，不会互相影响，但是，当晶体管的数量越来越多，一个个小开关开始挤在一起之后，就会产生漏电的问题。

赵德彬搞了许多年的芯片，对胡正铭的f技术也好奇地围观过，对以技术拉近关系这事非常有信心。

赵德彬点点头：“我知道了，这被称为‘短沟道效应’，随着单个电路所占的面积减小，其内部隔绝电子流动的沟道也会缩短，造成漏电，干扰芯片内部的运算。”

打个比方，这就相当于在自家院子里跑步，当院子足够大的时候，在里面腾云驾雾都没事，但当院子变得很小且密集的时候，随便一伸就到了隔壁邻居家院子了。

“短沟道效应”一出，表明赵德彬是懂行的，胡正铭立刻来了兴致，恰好众人正在实验室中，他拿着模型对着赵德彬演示道：

“目前，我们团队的解决思路是制造一种非常细的传导管道，防止电子通过栅极。

我们最近的方案是通过减小栅极的氧化层厚度来达到目的，但在前段时间失败了。”

赵德彬思索着说道：

“胡教授，我觉得这个方案是行不通的。

氧化层的厚度很难把握，如果过于薄了，电子可能会穿过氧化层，进入硅衬底，这会造成另一种泄漏。”

听到赵德彬的话，胡正铭精神一振：“没想到赵先生年纪轻轻，竟有如此的学识！”

紧接着，胡正铭和赵德彬就这个问题旁若无人地探讨了起来。

赵德彬表面驾轻就熟，实际上在脑海里调动了所有的知识，脑子转得都快冒火了。

此时，旁边的田长林、凯茜、张思明和翻译一齐四脸蒙圈。

由于不懂半导体技术，四人完全听不懂赵德彬和胡正铭在讨论些什么。

张思明是有眼力见的，一看这种状况，就知道赵德彬又双叒叕是和搞技术的人产生了强烈的吸引力，一时半会结束不了。

于是，张思明抱歉地对田长林笑笑：“