367.助攻3D晶体管研究，再获一员大将（3合1）（3/8）

5纳米以下是不现实的。

就在这个紧要关头，胡正铭提出了一个方案，将芯片立体化，把扁平宽的晶体管结构变成了高而窄的晶体管结构，如此一来芯片的容量提高了400倍，可以继续集成下去。

胡正明团队提出的晶体管数学模型，成为了芯片设计的第一个，而且是唯一的一个国际标准。

1999年，胡正铭团队又研发出了“鳍式场效应晶体管（f）”，凿穿了半导体行业35纳米的天花板，一举奠定了接下来三十年的芯片制造的基础，给摩尔定律又续命了好几十年。

在后世，胡正铭的发明被广泛用在手机等消费电子产品上，14纳米、7纳米、5纳米、3纳米制程的芯片都依仗着f技术。

此时是1991年，胡正铭正在伯克立分校担任教授，虽然还未提出f技术，但他已经率领团队研究出了可靠性工具bert和晶体管模型b，这些技术为f奠定了基础。

在实验室中，赵德彬见到了这位半导体行业的巨佬。

在交谈中，赵德彬了解到，胡正铭今年44岁，在中夏国都出生，后来跟随家人到了琉球生活，73年在伯克立分校获得了博士学位，然后一直从事半导体器件的开发及微型化研究。

听闻赵德彬将在洪港开设代工厂，并在内地建立芯片设计机构，胡正铭沉吟片刻，随后直率地说道：

“赵先生，得知你要在国内发展芯片产业，我是非常高兴的，我很希望我能出一份力。

但是，我目前正在率领团队研究芯片在25纳米程制以下的漏电问题，实在脱不开身，没有办法回国助你一臂之力。

实不相瞒，湾积电的莫里斯·张已经找过我好几次，邀请我到湾积电去，但都被我婉拒了。”

胡正铭的回答在赵德彬的意料之内，他的研究确实只有在丑国才有条件完成。

前世，胡正铭在1999年发布了f晶体管，在2001才加入了湾积电担任ct，并在三年之后再次返回学校教书。

由此看来，在胡正铭的研究没有完成前，他是不会离开学校的。

虽然胡正铭只在湾积电待了短短三年，但他为湾积电做出了极大的贡献，湾积电正是靠着胡正铭和梁梦松师徒两人（顺带着还有蒋上义），才在技术上压了一头，坐上了国际晶圆代工的老大位置。

赵德彬的小算盘打得噼啪作响：师父胡正铭暂时不来没事，能把徒弟梁梦松拉过来也是好的。

所以，赵德彬准备和胡正铭搞好关系。