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第106章 布局闪存(六千一百字,求订阅,求月票)(5/8)

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好,在这里工作还顺心吗?”赵烨一脸关切的问道,语气简直要多真诚,有多真诚。

这些院士大佬们简直就是他的心肝宝贝。

国内光刻机技术能不能快速突破,就得看他们的了。

黄昆老院士笑着说道“当然顺心,国内没有哪个地方比这里还好,什么也不要操心,一切都有专人伺候,我们只管研发就好了!”

赵烨点点头“你们工作顺心就好,对了,黄院士,新一代光刻机的开发进度到什么程度了?”

黄昆院士笑了笑,回答道“进度还不错,预计明年或许能够开发出新一代的光刻机,直追日本佳能和尼康的光刻机。”

顿了顿,黄昆院士侃侃而谈,仔细地为赵烨介绍道“我们现在采用193narf激光光源,已经实现了光刻过程中,掩模和硅片的同步移动,并且采用了缩小投影镜头,缩小比例达到51,有效提升了掩模的使用效率和曝光精度,从而将芯片的制程和生产效率提升了一个台阶!”

赵烨对当下的光刻机以及芯片生产工艺也算比较了解,此刻听完黄昆院士的话,不由心头大喜。

干式光刻机到达193n,就差不多到头了,想要再次突破,难度极大。前世,光刻机技术在20年内,几乎没有什么进步,都被困在这里,光学光刻技术似乎已经到了分辨率的“极限”。后来直到林本坚提出“浸润式光刻”这一具有颠覆性的技术之后,光刻机技术这才得到突破193n。

无疆微电子公司只要开发出193n光刻机,就跟佳能和尼康的光刻机技术相差不大了,反正之后20年,对方怎么也进步不了了。

反倒是无疆微电子公司研发浸润式光刻技术,实现弯道超车!

赵烨对众人鼓励一番,心情愉快地离开了。

……

日本。

雷克斯·艾登做好充分的调查准备之后,便开展行动。

在正式接触东芝公司之前,他先悄悄约nand闪存的发明者舛冈富士雄。

晚上7点钟,舛冈富士雄准时赴约。

雷克斯·艾登微笑着看着对方,开口道“舛冈富士雄先生你好,我先做一下自我介绍,我叫雷斯克·艾登,目前正在为中国无疆集团工作。这次约你见面,是想了解一下,你有没有跳槽的打算。无疆集团非常看好你开发的nand闪存技术。如果你能来无疆集团,我们会投入大量的资金,支持你继续开发nand闪存技术!”

舛冈富士雄闻言一怔,想到东芝公司对他的不公待遇,他早

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