第六百六十二章 氮化镓的搞出来了？（4/7）

么说的，以后肯定就交给太平洋集团去折腾好了！

就在众人的感慨之中，视频里的倪老继续开口：“什么砷化镓，砷化镓的缺陷太多了，导热性差，功率容量低，击穿电压低，根本就不适合用在微波集成电路上。”

这下，大家伙更是惊呆了。

砷化镓的信噪比低，工作频率高，所以更适合作为相控阵雷达的组件，但是缺陷也有，单个最大功率也就是25瓦左右，双极硅可以轻松做到50瓦以上，击穿电压低，使用的时候必须要精确控制功率，否则可能导致组件击穿。

比砷化镓更加先进的就是氮化镓，它可以说是最好的选择！

击穿电压是砷化镓的数十倍，使用的时候，想怎么加电压就加，热稳定性好，可以在更高的温度下工作，同时，输出功率大，是双极硅的好几倍！

氮化镓性能更强，可惜，实用化不容易！

在1969年，岛国的技术人员使用氢化物气相沉积技术，首次在蓝宝石衬底表面制造出来了大面积氮化镓薄膜，被认为是氮化镓材料使用的开端。

但是很快，科学界就认为这种东西没用，因为材料质量较差、P型掺杂难度大，根本就无法在上面造出晶体管来！

不过，也有一些人认准了一条路就走下去，一直走到底。

到了93年，日亚化学的一群专家们使用金属有机化学气相沉积的方式，成功制造出来了高质量的氮化镓材料，这种材料才终于有了实用价值！

只是没想到，东方的太平洋集团，居然也能制造出来同样的产品！

氮化镓！

贲老当下就兴奋了。

“如果有这种材料，同等构架下，我们的雷达搜索距离，能超过五百公里，甚至达到六百公里！”

氮化镓的T/R组件，功率高，搜索距离当然就远！

原本他们的346雷达，搜索距离预估在四百公里左右，现在，有了太平洋集团的助力，搜索距离能继续增加！

“这，这材料怎么造出来的？”也有人怀疑，毕竟，这不可能啊！国际上最先进的半导体巨头们还在捣鼓的东西，咱们也有了？

“我们用了最先进的MBE方法，我们认为，这种方法更适合制造高性能的氮化镓材料！”

氮化镓制造三种方法，鬼子首先用的是氢化物气相外延，也就是HVPE，后来用了MOCVD，但是，咱们没有走他们的路线，咱们用的是MBE！

“分子束外延？”

“没错，就是这种技