第八百五十三章 ：318.651kPa！室温超导！（1/6）

通过纳米技术来合成一种材料并不是一件很难的事情。

但要精细化的操控材料的每一块区域，在掺入银和铬元素同时还要微调材料表面的堆叠和扭曲，且保证所有地方都一样，那就是一件相当难的工作了。

在等待从电子束蒸发镀膜机对氧化铜基材进行处理的同时，徐川也准备好了掺杂的材料和设备。

等待了两个小时左右的时间，在电子电子束蒸发镀膜机对氧化铜基材完成表面晶膜的处理后，他将这份基材从转移到C激光引导等离子体气相沉积系统中。

超高纯度的银与铬两种材料在隔绝氧气的设备中处理完成后也同步送了这套设备中，等待着对其进行掺杂处理。

所谓的C激光引导等离子体气相沉积系统，就是完成室温超导的核心了。

它的整体分成两部分。

第一部分是通过直流放电的手段，使需要掺杂的材料熔化和蒸发，蒸汽遇到周围的气体就会冷却或发生反应，从而形成纳米微粒。

而第二部分则是通过蒸气-晶体直接转化的路径，利用紫外激光激光引导这些掺杂蒸汽淬灭为纳尺度下稳定的奇异合金，并将其作为构建块打印成3D纳米结构阵列，均匀的部署在氧化铜基超导材料表面。

这是制造氧化铜基铬银系·室温超导材料最核心的部分。

简单的来说，其原理有些类似于芯片的制造，只不过流程没有那么复杂而已。

芯片是在晶圆上通过光刻机刻画逻辑门，而氧化铜基铬银系超导材料的制造是通过C激光引导等离子体气相沉积系统引导掺杂材料在基材上完成纳米结构阵列。

前者需要多重蚀刻，而后者一次就足够了。

但不管怎么说，对于一种材料的制造来说，它的制造流程可以说已经是十分复杂的了。

不仅复杂，它需要用到的设备基本每一个都极其昂贵。

比如顶尖的真空电子束蒸发镀膜机的价格超过五百万，C激光引导等离子体气相沉积系统的价格更是过千万。

如果说能够像单晶硅的制造一样，一次性拉出足够成千上万枚芯片的单晶硅锭，用这些昂贵的设备来制造室温超导材料还是值得的。

但事实上实验室制取室温超导材料，每一次都只能制造出少量的‘样品’。

这也是氧化铜基铬银系·室温超导材料难以工业化生产的主要原因。

毕竟实验室产品和工业化产品是两个完全不同的概念。

实验室中能通过各种顶级设备做到