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第37章 nm光刻机,正式开始研发!(3/3)

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海中,随着小A声音的出现,一沓厚厚的资料出现在脑中的光晕里。

小主,这个章节后面还有哦,请点击下一页继续阅读,后面更精彩!陆隐手指一点,资料缓缓摊开,漂浮在眼前。

首先就是光刻机的总体结构,大概分为照光系统,掩模台系统,自动对准系统,调平调焦对准系统,框架减震系统……等。

而光刻机的整个结构中,最难的地方在于高精度的光源和光刻胶、镜头、对准技术等。

光刻机的核心难点在于光源技术,特别是极紫外线光刻机的光源技术。

在极紫外线技术出现之前,深紫外线光刻机是主流,它们使用193纳米波长的短波紫外线。

而极紫外线光刻机则使用13.5纳米的极紫外线,这要求极高的精度和稳定性。

另外,光刻胶是光刻过程中的关键材料,其性质和特性对芯片制造有重大影响。

光刻胶的厚度、硬度、粘度等属性都需要精确控制,以实现高精度的图案转移。

镜头技术也很重要,光刻机的镜头需要极高的纯度和精度,以确保图案的精确投影,这涉及到光学误差的控制,要求系统具有极高的精度。

除此之外,还有对准技术。

在光刻过程中,将掩膜上的图案精准对位到硅片上是关键步骤,这需要高精度的光学、机械和计算机控制技术。

此外,光刻机对工作环境要求也是极为严格,光刻机的工作环境必须绝对无尘,以确保芯片生产的精度和质量,同时,工作台必须具有高精度,以确保多次曝光和对准时的高度准确性。

其中的技术成本和难度也是极大的,光是技术领域就涉及光学、机械、电子、计算机等多个领域。

用到的材料和设备成本也是极为高昂,且制造周期极长,总的来说,这是一项比制作激光武器还要精细且费精力的研发。

但,1nm光刻机的研发,势在必行!

这是华国想要解除西方列国科技封锁的重要一步,无论失败多少次,都必须要做到!

一个小时后,陆隐拿着厚厚一沓资料打开了办公室的门。

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