第149章 半导体领域变天的开始，一环套一环的战略分鹰计（求订阅）（2/5）

7纳米级别。

最近正在为5纳米芯片而头疼。

东方已经掌握了7纳米工艺，即便对方要进行一系列的测试等工作，双方差距也只有不到1年了。

一旦东方彻底掌握最先进的半导体芯片，那么以东方的工业生产体量，西方的半导体产业必定会迎来灾难性的后果。

“法克法克法克”乔纳森拍打着头，痛苦道“将这些资料整理好，我去汇报我们的boss。”

几个小时后，某个奢华的宫殿内。

金发老人坐在首位，诸多老鹰有权势的人列在四周。

他们的目光看向七八个带着厚重眼镜，注意力却一直放在手中打印出来的期刊资料的学者身上。

如果西方有对光学有研究的人，一定会肃然起敬。

因为这些人都是在半导体领域的权威人士。

如某个脉冲激光实验室的麦艾斯教授，供职常青藤大学，在世界科学界享有盛誉的大科学家。还有几个则是微软或ad的大工程师。

这些人的目光并没有观看几个小时前的视频资料，而是放在一份十二个小时前，由东方向世界各地权威期刊发布论文。

「论euv光刻机采用磁约束方式对d源进行精确定位融束，用于光刻的验证方案」

它就是一篇为了占专利坑的论文。

是一篇震慑海外的技术论文

也是一篇打脸西方科学界的论文。

这篇论文结合之前东方的光刻机突破公告，会对海外造成一些非常要命的伤害。

该篇论文隐藏大量关键细节和数据，但智商正常的科学家们，都可以通过工程复刻的方式，来验证这篇论文的真实性。

它的技术原理并不复杂，是当前科学界都掌握的原理。

但是它的设计思路脑洞大开，而且思路极其清晰。

谁能想到突破光刻机精确光刻的技术难题，竟然可以用核聚变的一些验证技术解决呢

在euv极紫外光光刻机细分领域中，有两种最主流的方案，即d源方案和源方案。

源光刻即是用高能脉冲激光轰击液态锡靶，形成等离子体后产生波长135纳米的euv光源，然后对硅片进行加热刻录。西方跟阿斯麦掌握的是光源方案，并且非常成熟。

另外一个叫d方案，这个难度更加大。

因为d光源调控难度大，轰击液态锡靶时会出

现大量锡渣，如果无法用工程技术方案处理掉所有杂锡，会让它们破坏硅片晶圆，进而导