第二百七十一章 成功了！光刻工厂实现了！（3/5）

我加大了粒子加速器的功率，让电子运动的速度再次增加。”
“理论上来说，运行功率的加大，会同步放大电子运动的速度，电子在环形存储器的速度越快，辐射出的极紫外光能量就越强，但我并不能确定这个数值是不是正确的，只能说理论可行。”
光刻工厂没有人测试过，谁也不知道行不行。
现在又因为光掩膜版限制，林天只能加大功率，这给测试又增添了不小的难度。
“试试就知道了。”
陈星默默举起手机拍摄。
虽然他们在操控室，但面前的屏幕有显示洁净室的画面，根本不需要亲自前往。
林天微微颔首，没有说话，他双眸注视着监控画面，神色也显得格外紧张。
烘干冷却，涂满光刻胶的半导体硅片已经被运往了光刻区域，只剩下最后的光刻步骤。
随着透镜组移动到指定位置，13.5纳米波长的极紫外光发生了折射，精准地照射在两块图案互补的光掩膜版上，而光掩膜版上面的完整图案被照射后，最终落到待曝光的半导体硅片表面。
“滋——”
ArF光刻胶遇到光源，内部开始发生化学反应。
而ArF光刻胶又分正胶和反胶，这次曝光用的是正胶，被曝光区域的光刻胶会发生化学反应，没曝光区域则不受到影响。
一块区域被曝光后，透镜组立马移动，侧开照射光源，待移动平台调整后继续移回正位，对下一个区域进行光刻曝光。
12寸半导体硅片，大概能产出232块1.6×1.6的成品裸片，也就是说需要曝光232次。
目前来说，曝光一次的速度大概在1秒，这就需要232秒，也就是差不多4分钟才能把一张半导体硅片全部曝光完成。
虽然这个速度相比较于光刻机慢了差不多一倍，可光刻工厂毕竟是国产自研，而且是第一代产物，后续透镜组和移动平台还能继续优化，追赶上光刻机的光刻速度不是不可能的。
在等待了四分钟后，林天看向陈星等人解释道：“考虑到两块光掩膜版的能量消耗，我们先不急着拿去显影，让半导体硅片再次加热，加剧光刻胶的化学反应。”
陈星、雷兵、夏扬微微颔首，都在等待着结果。
现在这里陈星算半个门外汉，雷兵、夏扬则是都是门外汉，只能听林天安排。
他别说拿去烤了，哪怕是烧，他们也会觉得很合理。
随着林天输入指令，本该送去显影的半导体硅片被传送去了烘烤区域，进行二次加热，加剧ArF光刻胶内部的化学反应。
当这步完