第179章 单晶到底怎么造（3k）（2/4）

>俞允成对于区熔法有所了解，但是对于区熔法的原理和具体实现方法是不了解的，大概就处于闻名但是但未见面的程度。
俞允成听见了有些惊讶：“啊，这样啊，好像是比较难控制。”
简单来说，直拉法是把硅在锅里烧化，然后往上拉晶。
不愧是搞这个的，一听就明白，高振东笑道：“对，这个方法熔化的硅液主要靠表面张力维持不掉落，所以直径想做大，比直拉法要困难，同时整个拉晶过程的可控性差，容易导致晶体结构缺陷。”
高振东干脆把区熔法的原理向俞允成介绍了一遍。
“有这么多方法？”他样子有点傻呆呆的。
听见高振东肯定了自己的想法，俞允成心里很有几分窃喜。
实际上哪怕到了几十年后，半导体用硅单晶的生产方法还是以这两个为主，其中直拉法占了75%左右的产量。
俞允成明白了：“嗯，看来选择技术路线不能光靠单一指标，还是要综合考虑的。”
高振东笑道：“说对了，对于现在来说，直拉法的缺陷是可以通过设计手段来弥补或者削弱的，比如增加石英内坩埚。而它的好处却是实实在在的，我们不是搞理论研究，理论研究可以只盯着高处，我们搞的是应用研究，还是要看看周围。”
俞允成更加明白了：“啊，我还奇怪为什么要多此一举在石墨坩埚内再套一层石英坩埚呢，原来是我没考虑周全。”
高振东道：“对于我们现在的需求来说，区熔法的好处实际上是用不怎么上的，但是坏处却是实实在在的存在。而直拉法生产效率高，自动化生产技术难度低，更容易控制掺杂浓度，更容易制备大直径单晶，这些可都是我们现在急需的。”
半导体器件用的单晶体，基底的掺杂本来就是常用工序之一，在这一点上，直拉比区熔可就方便多了。
说完，又补充了一句：“等到直拉的有眉目了，再去搞区熔，毕竟区熔也有它的好处。”
俞允成对高振东这堂课心服口服，来这里果然来对了，不但学到了技术，还学会了科研的思想。
所以他对于开口向高振东学习，没有一点不好意思，不赶紧趁高主任有空，多扒拉点东西，那高主任不白来了。
“高主任，在我看来，只要坩埚加热温度稳定，热场就是稳定的，坩埚的加热温度可以靠电源功率控制来完成，而拉晶的提拉旋转和高度可以靠籽晶那头控制，为什么坩埚这头还要增加复杂的坩埚升降和旋转控制呢，这不是大大增加了系统的复杂程度吗。”
高振东听见这个，明白他是真的深入思考过