第110章 高主任面前，怎么我们都是问题？（3k）（3/4）

/br>段工一听大喜，行家一出手，就知有没有，这几句话句句打在要害上，一听真有新的工艺方法，连忙追问：“高主任，那你说的这个液相渗硅法，具体是怎么弄？”
高振东一点不藏私：“碳化硅和硅配比3:2作为硅源原料，反应温度1600℃，真空环境下反应0.5h，你看，是不是很简单？”
此话一出，段工差点没一笔杆子扔过去，对对对，你说得都对，是很简单。
不过想想，这个办法真的是很简单啊，甚至都想不出有什么能比这个更简单的了，如果能有效，那可就太好了，成本是真的低。
高振东没有给段工扔笔杆子的机会，继续说道：“这样，顺便能解决你们的第二个问题，氧化铝的使用问题。”
“氧化铝？”
“没错，氧化铝虽然理论上能细化SiC晶粒，使碳化硅层更加致密，但实际上，氧化铝过量时反应会产生大量气体，这些气体逸出的时候，会破坏碳化硅层的致密性，对硅化石墨的性能产生不利影响，这也会降低你们成品的性能。”
这下碳研院的人是明白这高主任是个真正的高手，碳研院其他技术人员双眼闪着小星星，看着两位大佬交流，运笔如飞。
高振东接下来的话，让碳研院的人有点很不好意思：“接下来，我再说第三个问题。”
啊，我们的技术这么多问题吗？哪儿哪儿都是问题，这都第三个了，惭愧惭愧啊。
段工一脸惭愧：“高主任，您继续说。”
高振东指着记录上的碳颗粒参数道：“我建议你们把碳颗粒的直径提高一点，提到1.x毫米，同时，不要用紧致的高密度碳颗粒，用疏松一点的。”
碳研院的一堆技术员心里有疑问，但是不敢说话，还是段工问了出来：“这不是降低致密性，降低强度了吗？”
高振东摇摇头：“并不是，你要考虑到液相渗硅法是在石墨内部生成硅化石墨，这些疏松的空隙，正好是碳化硅最好的容身之处，这有利于硅化石墨在产品内的均匀分布，而且石墨粒径的减小，会削弱产品的整体强度，加重磨损，使磨损率升高。”
听见高振东一席话，碳研院的人激动程度，自不用多说。
高主任每个建议，听起来都有理有据，直达要害，而且解决方法也很明确，甚至这种解决方法还降低了难度，减少了成本。
虽然还没有试验，不能说高主任说的话就是对的，可是至少在碳研院的人看来，机会非常大。
这有路可走，可比原来在黑暗中摸索，要舒服多了。
把高振东的话一一记录，段工又很